Číslo produktu výrobce:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM3N100CP ROG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventář:
12896875
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM3N100CP ROG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
664 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
99W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252 (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
TSM3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD3NK100Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1359
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD3NK100Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.95
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
TSM60NB380CP ROG
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252